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发展采用碳掩模结合电子束光刻和Ar+离子铣削的方法对器件进行YBCO方向的角度为φ的图形化。但在较低掺杂时情况发生了变化：电力大数电力的生p≈0.10时，沿b方向提取的TL与沿a轴方向的值接近，ρb(T)在超导跃迁之前的低温下表现出明显的上升趋势。

作者研究了掺杂p≈0.125时MgO和STO上生长的厚度分别为10和50nm的薄膜，成为产力其中CDW的强度最强。系统图4.YBCO薄膜中CDW的厚度依赖性结论与展望本工作的结果与修正费米面导致向列相的单向CDWs的理论预测一致。